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• Ar^＋の照射エネルギーは、電流密度が～100 mA/cm² と大きいため 1~10 μm/min という非常に高いスパッタ速度が得られ、迅速分析 が可能です。
• 1 検体の測定時間が数分と短く、SIMS や XPS では 限界があった複数試料の 分析や N 増し測定が可能です。
• 分析領域がΦ 1 mm～ と広いため、高感度分析を実現します。

• 試料の前処理が不要で、試料導入も大気中で行えるため、試料 のセットから測定完了まで、わずか数分で完了します。
• 大型試料室の採用により、大きい試料（最大 300×300 mm）も そのまま測定できます。
• 操作は简単。测定结果がオペレータの习熟度に左右されません。

• 深さ方向の元素プロファイルを高感度に分析できます。
• H, C, N, O などの軽元素から U まで多元素同時分析ができます。 中でも、B, Li, F などの元素が測れることが特長的です。

材質の違いで窒素や炭素の侵入?拡散具合が異なる様子がわかります。 SUS316 材では、炭素がより深く入り込んだ濃化が確認できました。

グロー放電領域のカソードスパッタリングを用いて、導電性?非導電性 皮膜をスパッタリングし、スパッタされた原子の Ar プラズマ内における 発光を分光測定します。この時発生する光は、各々の原子固有の波長を示し、その強度は原子の量に比例します。

• &苍产蝉辫;高周波グロー放电方式のため、ガラスやセラミックスのような非导电性试料も测れ、测定対象の材质の幅が広がります。
• Ar^＋スパッタリングは、試料への照射エネルギーが < 50 eV と低いため、深さ分解能を低下させるミキシング層の形成が抑えられます。

表面処理前後の表面から深さ方向への元素プロファイルを比較しました。表面 処理後に、Na, K, Fe, Snが表面から少なくなっていることが確認できました。

• 連続的スパッタリングにより熱ダメージの影響が出やすい 有機系皮膜やガラスなども高分解能な測定が可能です。
• 単位時間あたりのスパッタリング量を低減させることで、 深さ方向の分解能がさらに向上します。ミキシング層の 形成が無いため単分子皮膜の測定も可能です。